长鑫存储申请半导体结构和存储器专利，提高信号放大性能lg...

摘要：金融界2024年1月5日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“一种半导体结构和存储器“，公开号CN117352506A，申请日期为2022年6月。专利摘要显示，本公开实施例提供了一种半导体结构和存储器，该半导体结构包括：第一有源区；位于第一有源区上方的第一栅极，且第一有源区和第一栅极用于形成第一晶体管；第二有源区，且第二有源区与第一有源区沿第一方向排列，第二有源区和第一有源区相互独立；位于第二有源区上方的第二栅极，且第二有源区和第二栅极用于形成第二晶体管；其中，第一晶体管和第二晶体管的尺寸相同，第一晶体管的电性参数和第二晶体管的电性参数的偏差处于预设阈值内，第一晶体管和第二晶体管属于一个交叉耦合放大单元。这样，由于第一有源区和第二有源区相互独立，能够提高交叉耦合结构中的晶体管的对称性，改善晶体管失配引起的噪声，提高信号放大性能。