北京大学申请铁电存储器专利，解决了铁电存储器额外面积消耗问题lg...

摘要：金融界2024年1月3日消息，据国家知识产权局公告，北京大学申请一项名为“一种铁电存储器及其制备方法“，公开号CN117337048A，申请日期为2023年11月。专利摘要显示，本发明提供了一种铁电存储器及其制备方法。铁电存储器包括主体电容区域和电极引出区域，主体电容区域为多个应变层和铁电层自下而上交错排列，其中最下层和最上层为应变层，所有应变层中奇数应变层在水平方向上位置对齐，偶数应变层在水平方向上位置对齐，奇数应变层和偶数应变层水平位置不对齐，铁电层与其上方相邻的应变层水平位置一致，在主体电容区域外填充隔离保护材料构成非电极引出区域，其四周被阻挡层包裹；电极引出区域包括下电极和上电极，均由金属层组成，下电极贯穿所有偶数应变层但是不接触奇数应变层，上电极贯穿所有奇数应变层但不接触偶数应变层。在原CMOS平台制备该铁电存储器，解决了铁电存储器额外面积消耗问题。