北京大学申请一种基于CMOS工艺流程的嵌入式铁电存储器的集成方法专利，解决了在CMOS逻辑工艺平台将大面积铁电存储器与传统CMOS器件混合集成的问题lg...

摘要：金融界2024年1月3日消息，据国家知识产权局公告，北京大学申请一项名为“一种基于CMOS工艺流程的嵌入式铁电存储器的集成方法“，公开号CN117337047A，申请日期为2023年11月。专利摘要显示，本发明公开了一种基于CMOS工艺流程的嵌入式铁电存储器的集成方法，属于半导体存储器技术领域。本发明在不影响CMOS电路性能、不新增光刻版、不增加铁电存储器单元面积的前提下，利用CMOS逻辑工艺平台已有技术，在片上嵌入式集成大面积的铁电存储器，该大面积铁电存储器的版图面积不超出控制其操作的晶体管面积。因此解决了在CMOS逻辑工艺平台将大面积铁电存储器与传统CMOS器件混合集成的问题。