三星申请制造半导体器件的方法专利，能够有效测量并调整导电结构的未对准值lg...

摘要：金融界2024年1月2日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“制造半导体器件的方法“，公开号CN117334635A，申请日期为2023年6月。专利摘要显示，公开了一种半导体制造方法，包括：形成第一导电结构和第二导电结构；测量第一导电结构和第二导电结构之间的未对准值；基于测量的未对准值从一组掩模版中选择掩模版；以及使用选择的掩模版形成将第一导电结构电连接到第二导电结构的连接导电结构。