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长鑫存储申请晶圆缺陷评估专利,能够提升内存芯片的生产效率

2024-01-02 11:45:47
金融界
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摘要:金融界2024年1月2日消息,据国家知识产权局公告,长鑫存储技术有限公司申请一项名为“晶圆缺陷评估方法、装置、存储器芯片和可读存储介质“,公开号CN117333424A,申请日期为2022年6月。专利摘要显示,本公开提供了一种晶圆缺陷评估方法、装置、存储器芯片和可读存储介质,涉及半导体技术领域。其中,晶圆缺陷评估方法包括:获取在制程阶段对晶圆进行抽检的缺陷检测数据;将缺陷检测数据输入测试阶段失效预测模型,以基于测试阶段失效预测模型预测出在制程结束后晶圆上所有裸片的测试失效预测数据,其中,测试阶段失效预测模型使用测试阶段真实失效大数据作为训练样本进行模型训练生成,真实失效大数据包括具有对应关系的晶圆制程阶段缺陷数据和制程结束后的测试失效数据;基于缺陷检测数据和测试失效预测数据计算晶圆的缺陷评估指标。通过本公开的技术方案,能够减少CP测试的工作量,缩短CP测试周期,进而提升内存芯片的生产效率。

金融界2024年1月2日消息,据国家知识产权局公告,长鑫存储技术有限公司申请一项名为“晶圆缺陷评估方法、装置、存储器芯片和可读存储介质“,公开号CN117333424A,申请日期为2022年6月。

专利摘要显示,本公开提供了一种晶圆缺陷评估方法、装置、存储器芯片和可读存储介质,涉及半导体技术领域。其中,晶圆缺陷评估方法包括:获取在制程阶段对晶圆进行抽检的缺陷检测数据;将缺陷检测数据输入测试阶段失效预测模型,以基于测试阶段失效预测模型预测出在制程结束后晶圆上所有裸片的测试失效预测数据,其中,测试阶段失效预测模型使用测试阶段真实失效大数据作为训练样本进行模型训练生成,真实失效大数据包括具有对应关系的晶圆制程阶段缺陷数据和制程结束后的测试失效数据;基于缺陷检测数据和测试失效预测数据计算晶圆的缺陷评估指标。通过本公开的技术方案,能够减少CP测试的工作量,缩短CP测试周期,进而提升内存芯片的生产效率。

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