天合光能申请无铟异质结电池专利，大幅降低制造加工成本lg...

摘要：金融界2023年12月30日消息，据国家知识产权局公告，天合光能股份有限公司申请一项名为“无铟异质结电池及其制备方法“，公开号CN117317069A，申请日期为2023年10月。专利摘要显示，本发明公开了一种无铟异质结电池及其制备方法。制备方法包括如下步骤：在N型硅基底的正面与背面分别制备本征非晶硅层；在正面的本征非晶硅层上制备N型掺杂层；在背面的本征非晶硅层上制备P型掺杂层；在P型掺杂层上依次制备透明导电种子层、透明导电材料层；在N型掺杂层上依次制备透明导电种子层、透明导电材料层；在各个透明导电材料层上分别制备保护层；以及在正面与背面分别制备金属电极，金属电极延伸至相应的透明导电材料层。上述制备方法解决了无铟TCO材料通过磁控溅射成膜后晶化率低、光电特性差，在空气中退火受氧气影响，方阻急剧增大以及其耐候性较差的问题，大幅降低制造加工成本，满足可靠性要求。