北京大学申请半导体结构专利，可实现在牺牲栅极去除的位置形成栅极lg...

摘要：金融界2023年12月30日消息，据国家知识产权局公告，北京大学申请一项名为“半导体结构的制备方法及半导体结构“，公开号CN117316770A，申请日期为2023年10月。专利摘要显示，本申请提供一种半导体结构的制备方法及半导体结构，该制备方法包括：形成沟道；在沟道的侧壁形成牺牲栅极结构；其中，牺牲栅极结构包括栅介质层和牺牲栅极，栅介质层位于沟道和牺牲栅极之间；形成与沟道的顶部连接的第一掺杂区；形成与沟道的底部连接的第二掺杂区；其中，牺牲栅极结构位于第一掺杂区和第二掺杂区之间；在形成第二掺杂区之后，去除牺牲栅极，并在牺牲栅极去除的位置形成栅极。