普冉股份申请输出驱动电路专利，能减少地弹效应lg...

摘要：金融界2023年12月30日消息，据国家知识产权局公告，普冉半导体(上海)股份有限公司申请一项名为“输出驱动电路“，公开号CN117316951A，申请日期为2023年9月。专利摘要显示，本发明公开了一种输出驱动电路包括：第一驱动管，栅极接输入信号以及漏极接输出信号。第一驱动管形成于第一有源区中，由多个第一单元结构并联而成。两个相邻的第一单元结构共用同一多晶硅栅。各多晶硅栅的端部还延伸到第一有源区外的场氧表面上。各多晶硅栅连接在一起形成多晶硅线，多晶硅线还连接到由正面金属层组成的栅极，输入信号通过所述栅极加入到多晶硅线中的各多晶硅栅上。至少部分多晶硅栅之间首尾相串联并形成多晶硅首尾串联结构，在第一驱动管打开时，多晶硅首尾串联结构使多晶硅首尾串联结构中的各多晶硅栅所控制的第一单元结构依次导通，从而降低第一驱动管的瞬时电流。本发明能减少地弹效应。