台积电申请半导体器件及其形成方法专利，实现形成半导体器件的新方法lg...

摘要：金融界2023年12月22日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司申请一项名为“半导体器件及其形成方法“，公开号CN117276279A，申请日期为2023年8月。专利摘要显示，本发明的实施例提供了一种形成半导体器件的方法，包括：形成第一晶体管和堆叠在第一晶体管上的第二晶体管；形成与第一晶体管和第二晶体管相邻的第一开口；在第一开口中形成栅极隔离层；在栅极隔离层上形成导电层，导电层位于第一开口中；在导电层中形成切口区域；在切口区域中的导电层上形成介电层；形成与第二晶体管和导电层接触的前侧源极/漏极接触件；以及形成与第一晶体管和导电层接触的背侧源极/漏极接触件。本发明的实施例还提供了半导体器件。