台积电申请栅极全环绕场效应晶体管器件专利，提高半导体器件的性能lg...

摘要：金融界2023年12月12日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司申请一项名为“栅极全环绕场效应晶体管器件“，公开号CN117219582A，申请日期为2023年6月。专利摘要显示，本公开涉及栅极全环绕场效应晶体管器件。一种形成半导体器件的方法包括：在衬底之上形成半导体鳍结构，其中，半导体鳍结构中的每一个包括在半导体鳍之上的层堆叠，层堆叠包括第一半导体材料和第二半导体材料的交替层；在半导体鳍结构的侧壁和上表面之上形成帽盖层；以及在半导体鳍结构的相反侧、在隔离区域之上形成混合鳍，其中，形成所述混合鳍包括：在隔离区域之上形成电介质鳍；和在电介质鳍之上形成电介质结构，包括：在电介质鳍之上形成蚀刻停止层(ESL)；用掺杂剂掺杂所述ESL；以及在经掺杂的ESL之上形成第一电介质材料。