金融界2023年12月9日消息,据国家知识产权局公告,台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“鳍式场效晶体管装置的形成方法“,授权公告号CN109427590B,申请日期为2018年8月。
专利摘要显示,本公开实施例提供鳍式场效晶体管装置及其形成方法,此方法包含形成栅极介电层以及沉积金属氧化物层于栅极介电层上。此方法也包含将栅极介电层和金属氧化物层退火,使得离子从金属氧化物层扩散至栅极介电层,以形成掺杂的栅极介电层。此方法还包含形成功函数层于掺杂的栅极介电层上,以及形成栅极电极于功函数层上。