三星取得CN110137137B专利，集成电路半导体器件具有优化的结构lg...

摘要：金融界2023年12月5日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“包括金属氧化物半导体晶体管的集成电路半导体器件“，授权公告号CN110137137B，申请日期为2019年2月。专利摘要显示，一种集成电路半导体器件包括：第一区域，具有第一有源图案，该第一有源图案具有第一突出部分和第一凹陷部分；以及第二区域，具有第二有源图案，该第二有源图案具有第二突出部分和第二凹陷部分。第一栅极图案在第一突出部分上。第二栅极图案在第二突出部分上。第一源极/漏极区域在第一有源图案的第一凹陷部分之一上且在第一栅极图案中的两个之间。第一源极/漏极区域在其上部具有第一增强外延层。第二源极/漏极区域在第二有源图案的第二凹陷部分之一上且在第二栅极图案中的两个之间。第二源极/漏极区域具有第二增强外延层，该第二增强外延层具有与第一增强外延层的第一外延生长表面不同地成形的外延生长表面。