FX168财经报社(香港)讯 美国科技禁令下,中国计划围绕单个粒子加速器,建造出一座容纳多台光刻机的大型工厂来实现制造本地化。科学家表示,这项技术可以超越美国的制裁,使中国成为半导体芯片行业的新领导者。清华大学与雄安新区当局积极讨论建设地点,中国国家主席习近平此前表态,雄安新区已进入大规模建设与承接北京非首都功能疏解并重,该新区被视为“千年计划”。
中国研究人员利用粒子加速器创建新型激光源,为半导体制造的未来奠定基础。目前正在计划建造一个周长在100至150米,换算为328至492英尺之间的粒子加速器,大约相当于两个篮球场的大小。加速器的电子束将转变为高质量光源,用于现场芯片制造和科学探究。
(来源:SCMP)
与荷兰ASML等倾向于缩小出口芯片制造机尺寸的企业相反,中国项目旨在通过围绕单个加速器建造一座容纳多台光刻机的大型工厂来实现制造本地化。这项创新可以促进大批量、低成本的芯片制造,并有可能推动中国在先进芯片的工业生产中发挥领导作用。
要知道,光刻系统是人类创造的最复杂的机械之一。目前,超短波长的极紫外光(EUV)广泛应用于7奈米及以下节点芯片的生产。荷兰ASML是唯一一家拥有该技术并因此主导市场的公司,截至2022年底,ASML已交付180套EUV系统。据彭博社 4 月份发布的报道称,该公司还计划今年出货60台EUV机台。
尽管有许多研究人员在追逐这项技术,但中国科学家一直在探索不同的道路。该项目自2017年以来一直在运行,但由于华为在芯片制造方面的突破,最近才进入公众视野。“我们研究的潜在应用之一是作为未来EUV光刻机的光源,我认为这就是国际社会密切关注的原因,”项目负责人、清华大学教授Tang Chuanxiang在清华大学网站上的报告中说道。
新项目进展尚未向公众披露,但Tang预计团队和业界将进一步努力帮助中小企业发展。他相信该技术可以帮助中国摆脱未来的制裁,但没有谈论光刻机的具体进展。
香港《南华早报》(SCMP)报道称,清华大学团队正在与雄安新区当局积极讨论,为这一 尖端项目选择建设地点。5月10日,习近平视察雄安新区,他表示雄安新区已进入“大规模建设”与“承接北京非首都功能疏解”并重阶段。
该团队研究背后的理论是一种称为稳态微聚束(SSMB)的新发光机制,它由斯坦福大学Zhao Wu教授和他的学生Daniel Ratner于2010年首次提出。值得关注的是,Zhao是知名物理学家Yang Zhenning的学生。
简而言之,SSMB理论利用带电粒子在加速过程中释放的能量作为光源。结果是窄带宽、小散射角和连续的纯EUV光。
Tang在清华报告中表示:“我们自主开发EUV光刻机还有很长的路要走,但基于SSMB的EUV光源为我们提供了受认可技术的替代方案。”
“需要基于SSMB EUV光源不断进行技术创新,并与上下游产业合作,构建可用的光刻系统。”
他在论文中还指出,SSMB-EUV光源的实现将为材料科学、基础物理、生物化学等学科的前沿研究提供新的工具。