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长鑫存储取得半导体结构及其形成方法、存储器及其形成方法专利,该专利技术能够提高存储器的存储密度

2024-04-02 17:46:57
金融界
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摘要:金融界2024年4月1日消息,据国家知识产权局公告,长鑫存储技术有限公司取得一项名为“半导体结构及其形成方法、存储器及其形成方法“,授权公告号CN113644065B,申请日期为2020年4月。专利摘要显示,本发明涉及一种半导体结构及其形成方法,一种存储器及其形成方法,所述。所述半导体结构的形成方法包括:提供衬底,所述衬底表面形成有牺牲层和位于所述牺牲层表面的有源层;对所述有源层和所述牺牲层进行图形化,形成凹槽,所述凹槽将所述有源层和所述牺牲层分割为若干有源区;在所述凹槽内形成包围所述有源区的第一隔离层;对所述有源区内的有源层进行图形化,形成若干分立的有源图形;沿相邻的所述有源图形之间的开口去除所述牺牲层,形成位于所述有源图形底部与所述衬底之间的间隙;在所述间隙内形成位线;在部分所述有源图形顶部形成半导体柱。上述方法能够减小晶体管的平面尺寸,提高存储器的存储密度。

金融界2024年4月1日消息,据国家知识产权局公告,长鑫存储技术有限公司取得一项名为“半导体结构及其形成方法、存储器及其形成方法“,授权公告号CN113644065B,申请日期为2020年4月。

专利摘要显示,本发明涉及一种半导体结构及其形成方法,一种存储器及其形成方法,所述。所述半导体结构的形成方法包括:提供衬底,所述衬底表面形成有牺牲层和位于所述牺牲层表面的有源层;对所述有源层和所述牺牲层进行图形化,形成凹槽,所述凹槽将所述有源层和所述牺牲层分割为若干有源区;在所述凹槽内形成包围所述有源区的第一隔离层;对所述有源区内的有源层进行图形化,形成若干分立的有源图形;沿相邻的所述有源图形之间的开口去除所述牺牲层,形成位于所述有源图形底部与所述衬底之间的间隙;在所述间隙内形成位线;在部分所述有源图形顶部形成半导体柱。上述方法能够减小晶体管的平面尺寸,提高存储器的存储密度。

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