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京东方A申请显示基板及其制作方法、显示面板专利,实现像素电极与薄膜晶体管有源层的直接电连接

2024-02-19 12:29:55
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摘要:金融界2024年2月19日消息,据国家知识产权局公告,京东方科技集团股份有限公司申请一项名为“显示基板及其制作方法、显示面板“,公开号CN117561475A,申请日期为2022年3月。专利摘要显示,一种显示基板及其制作方法、显示面板显示基板包括:第一半导体层(25),设置在衬底基板(21)上,第一薄膜晶体管(T1)的有源层位于第一半导体层(25),且第一薄膜晶体管(T1)的有源层至少包括沟道区(GD)和漏极接触区;层间绝缘层(22),设置在第一半导体层(25)背离衬底基板(21)的一侧;第一导电层,设置在层间绝缘层(22)背离第一半导体层(25)的一侧,像素电极(26)位于第一导电层,且在像素单元中像素电极(26)通过贯穿层间绝缘层(22)的过孔与第一薄膜晶体管(T1)有源层的漏极接触区直接电连接。

金融界2024年2月19日消息,据国家知识产权局公告,京东方科技集团股份有限公司申请一项名为“显示基板及其制作方法、显示面板“,公开号CN117561475A,申请日期为2022年3月。

专利摘要显示,一种显示基板及其制作方法、显示面板显示基板包括:第一半导体层(25),设置在衬底基板(21)上,第一薄膜晶体管(T1)的有源层位于第一半导体层(25),且第一薄膜晶体管(T1)的有源层至少包括沟道区(GD)和漏极接触区;层间绝缘层(22),设置在第一半导体层(25)背离衬底基板(21)的一侧;第一导电层,设置在层间绝缘层(22)背离第一半导体层(25)的一侧,像素电极(26)位于第一导电层,且在像素单元中像素电极(26)通过贯穿层间绝缘层(22)的过孔与第一薄膜晶体管(T1)有源层的漏极接触区直接电连接。

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