晶合集成取得半导体结构专利，提升非易失性存储器的数据保存能力lg...

摘要：金融界2023年12月28日消息，据国家知识产权局公告，合肥晶合集成电路股份有限公司取得一项名为“一种半导体结构及其制造方法“，授权公告号CN116936476B，申请日期为2023年9月。专利摘要显示，本发明公开了一种半导体结构及其制造方法，所述半导体结构至少包括：半导体衬底，半导体衬底中设置有浅槽隔离结构和阱区；隧道氧化层，设置在半导体衬底上，隧道氧化层覆盖在部分阱区上和部分浅槽隔离结构上；浮栅层，设置在隧道氧化层上；多个隔离沟槽，穿过浮栅层和隧道氧化层，与阱区或浅槽隔离结构的表面接触；隔离层，设置在隔离沟槽内，隔离层连接于阱区或浅槽隔离结构，且隔离层位于相邻的浮栅层之间；隔离氧化层，设置在隔离层和浮栅层上，且所述隔离氧化层覆盖所述隔离沟槽的部分侧壁；以及控制栅层，设置在隔离氧化层上。本发明提供的半导体结构及其制造方法，能够防止存储单元之间发生漏电流，提升非易失性存储器的数据保存能力。